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[发明专利]取向诱导生长的硒化锑薄膜及其制备方法与薄膜太阳电池-CN202110332393.6在审
发明人：梁广兴;陈国杰;林锦鸿;陈烁;郑壮豪 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种取向诱导生长的硒化锑薄膜及其制备方法与薄膜太阳电池，包括：将硒化锑和衬底放置于空间升华炉内，通过近空间升华法在所述衬底上沉积硒化锑，得到硒化锑前驱膜；将硒源和所述硒化锑前驱膜放置于双温区管式炉中，通过硒源对所述硒化锑前驱膜进行硒化退火，得到沉积于所述衬底上的硒化锑薄膜。本发明通过具有择优取向的硒化锑前驱膜取向诱导生长制备硒化锑薄膜，制备出的硒化锑薄膜为具有择优取向大晶粒生长的薄膜，将该硒化锑薄膜应用于硒化锑薄膜太阳电池，可以克服现有强各异性硒化锑薄膜导致的载流子产生及传输受限问题，减少硒化锑薄膜太阳电池开路电压亏损，提高硒化锑薄膜太阳电池效率。
取向诱导生长硒化锑薄膜及其制备方法太阳电池

[实用新型]一种可提高硒化均匀性和重复性的CIGS薄膜电池硒化装置-CN201520392290.9有效
发明人：童章辉 -专利权人：厦门神科太阳能有限公司
申请日： 2015-06-09 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： C23C16/28 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种可提高硒化均匀性和重复性的CIGS薄膜电池硒化装置，从下往上依次包括硒化盒、基片、硒源板和盒盖板，所述基片和硒源板设在硒化盒内，所述硒源板上放置有硒源。本实用新型使硒源与基片同处于一个相对密封的硒化盒内，硒化过程中不需要额外控制硒蒸气通断，也不需要在硒化过程中去调整硒蒸气的浓度等；硒化盒内空间相对狭小使得硒蒸气浓度较均匀，大大提高了硒化的均匀性；忽略了硒蒸气的流通时间，浓度梯度，避免了管道，流量密度等影响提高了硒化的重复性。
一种提高均匀重复性 cigs 薄膜电池化装

[发明专利]异质结纳米材料、电子传输薄膜和显示器件-CN202111220878.2在审
发明人：朱佩;陈亚文 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：该异质结纳米材料包括：第一金属硒化物及复合于第一金属硒化物上的第二金属硒化物，第二金属硒化物为银掺杂的金属硒化物，第一金属硒化物及第二金属硒化物之间形成异质结。该异质结纳米材料含有第一金属硒化物及复合于第一金属硒化物上的第二金属硒化物，第二金属硒化物为银掺杂的金属硒化物，第一金属硒化物及第二金属硒化物之间形成异质结，从而有利于自由电子迁移，使得异质结纳米材料具有较高的电导率；此外，该异质结纳米材料相比于单纯的金属硒化物纳米材料具有更好的光散射作用。
异质结纳米材料电子传输薄膜显示器件

[发明专利]可提高硒化质量的硒化反应装置及进行硒化反应的方法-CN201510436262.7有效
发明人：潘军祥;来霸;王奇 -专利权人：南京汉能薄膜太阳能有限公司
申请日： 2015-07-23 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种可提高硒化质量的硒化反应装置及进行硒化反应的方法，所述可提高硒化质量的硒化反应装置包括一个硒源蒸发室、硒蒸汽流通通道、载气流通通道、混合气体流通通道、反应室；所述利用可提高硒化质量的硒化反应装置进行硒化反应的方法包括步骤：抽真空；加热棒进行加热；打开微波发生装置，同时加热可加热式匀流板开始反应；反应结束后，腔室一保持继续加热，CIGS基片待温度降至200℃以下，关闭微波发生装置关闭进气阀，同时关闭抽气口；所述可提高硒化质量的硒化反应装置，利用微波发生装置离化硒原子，分散硒的大分子团，提高硒原子能量；该方法不仅可以提高硒的能量，而且可以提高硒蒸汽压及硒蒸汽分布的均匀性，最终提升CIGS电池整体的效率。
提高质量反应装置进行方法

[发明专利]一种γ相硒化铟的合成方法-CN201910922320.5有效
发明人：张强;白平平;童培云;肖翀;赵宇飞;张绍桢 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种γ相硒化铟的合成方法。本发明采用两步法来合成γ相硒化铟，即先由单质硒和单质铟合成低硒的硒化物，再由低硒的硒化物与单质硒合成γ相硒化铟，避免了单质铟和单质硒直接合成硒化铟，从而避免了体系放出大量的热导致单质硒的挥发，同时反应能在常压下进行，对设备要求简单，而且合成的硒化铟均为γ相，对选择性合成多种晶相的化合物有一定的指导意义。
一种相硒化铟合成方法

[发明专利]一种钼酸镍-硒化镍-硒化钼复合材料及其制备方法和应用-CN202011075904.2有效
发明人：孔泳;王成超;吴大同;周海逢;蔡文蓉 -专利权人：常州大学
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01G11/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种钼酸镍‑硒化镍‑硒化钼复合材料及其制备方法和应用，将钼酸镍部分硒化制备钼酸镍‑硒化镍‑硒化钼复合材料，对钼酸镍‑硒化镍‑硒化钼复合材料进行恒电流充放电测试及循环稳定性测试。本发明的钼酸镍‑硒化镍‑硒化钼复合材料的制备方法简单易行，该复合材料用于超级电容器电极时，具有较高的比电容和较好的循环稳定性。
一种钼酸硒化镍硒化钼复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种提高硒化镉粉体流动性的方法-CN202210672367.2在审
发明人：周荣艳;朱卓南;文崇斌 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高硒化镉粉体流动性的方法，属于粉体材料技术领域。本发明的一种提高硒化镉粉体流动性的方法，包括以下步骤：(1)将硒化镉锭块破碎处理，得硒化镉颗粒A；(2)将硒化镉颗粒A进行脱氧处理，得硒化镉颗粒B；(3)将硒化镉颗粒B滚磨处理，得所述硒化镉粉体。本发明通过硒化镉粉体间的自身的作用力来提高流速，不掺入其他提高流速的辅料，减少杂质的引入对硒化镉粉体的性能带来的影响；本发明提高硒化镉粉体流动性的方法制备工艺简单，对设备要求较低，成本较低，适用于产业化
一种提高硒化镉粉体流动性方法

[发明专利]一种硒化天麻多糖的制备方法及其产品与应用-CN202310710884.9在审
发明人：马风伟;邓青芳;温启华;程永友;许粟 -专利权人：贵阳学院
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C08B37/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硒化天麻多糖的制备方法及其产品与应用，属于生物制药技术领域，本发明将预硫酸化修饰天麻多糖进行硒化修饰，得到硒化天麻多糖，采用Box‑Behnken响应面法对硒化修饰工艺进行优化，获得最佳硒化修饰工艺，该制备方法简单可行，相比天麻多糖的直接硒化修饰方法，本发明大大提高了天麻多糖的硒化率，硒化率≥1％，所得硒化天麻多糖在高温(60℃)，高湿(空气湿度90％)及强光照射(4500lx)条件下稳定。
一种天麻多糖制备方法及其产品应用

[发明专利]一种硒化锌晶体的表面预处理方法-CN202111174182.0在审
发明人：刘鹏;刘荣娟;马杰;姜忠赛;张长华;王俊;沈德元;唐定远 -专利权人：江苏师范大学
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C30B33/12 文献下载
摘要：本发明公开一种硒化锌晶体的表面预处理方法，包括以下步骤：将硒化锌晶体表面抛光；将抛光后的硒化锌晶体放入丙酮溶液中浸泡清洗后，用超纯水循环清洗硒化锌晶体；将清洗后的硒化锌晶体放入烘箱中烘干；将烘干后的硒化锌晶体放入等离子刻蚀机的等离子真空腔中，并用等离子体清洗硒化锌晶体表面；将等离子体清洗后的硒化锌晶体置于氩气气氛的手套箱中，用封装袋对硒化锌晶体进行封装。本发明不仅能够除掉硒化锌晶体表面存在的氧化层，还能使硒化锌晶体表面形成高活性悬键。
一种硒化锌晶体表面预处理方法

[发明专利]一种二硒化钴复合材料及其制备方法和应用-CN202111503181.6在审
发明人：王付鑫;陈石;黄一峰;李东泽;李浩然;郑得洲;冯其;靳柄军;王光霞;徐维;卢锡洪 -专利权人：五邑大学
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硒化钴复合材料及其制备方法和应用。该二硒化钴复合材料包括立方体多孔碳基体，其立方体多孔碳上负载有二硒化钴，二硒化钴为Ⅰ型二硒化钴和/或Ⅱ型二硒化钴；本发明的二硒化钴复合材料是立方体多孔碳上均匀分布了二硒化钴，且当I型二硒化钴和/或II型二硒化钴分布在立方体多孔碳上时
一种二硒化钴复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种保障矿化富硒水安全饮用系统-CN201810536131.X在审
发明人：许清涛 -专利权人：安徽太行净水设备有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： C02F1/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种保障矿化富硒水安全饮用系统，用于对净水机的出水进行实时的硒缓释处理，最终使每个时刻放出的富硒水，其硒元素含量均在0.0005mg/L～0.05mg/L之间。该系统包括净水通路和缓释矿化富硒水通路。其中缓释矿化富硒水通路包括水分配器、水溶性缓释硒芯、富硒水生成箱、硒检测器和控制器。净水在缓释矿化富硒水通路中被分成两路，其中一路通往水分配器，另一路通往富硒水生成箱。水溶性缓释硒芯内置有水溶性富硒缓释矿化剂，矿化剂经水浸泡后释放出硒元素，形成适合饮用的矿化富硒水。控制器根据硒检测器检测富硒水生成箱出水水中的硒元素，控制水分配器调节富硒水生成箱流入的水量大小。
富硒缓释矿化水分配器水通路硒元素控制器饮用矿化剂水安全出水净水检测器检测器检测净水机两路内置浸泡释放

[发明专利]一种利用硒化亚锡纳米晶进行表面修饰的硒化铟光电探测器及其制备方法-CN202110442127.9有效
发明人：李煜;晏雨发;郑博方;曾海飞 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用硒化亚锡纳米晶进行表面修饰的硒化铟光电探测器及其制备方法，其中，硒化铟光电探测器包括基底、设置在所述基底上的n型硒化铟膜层、设置在所述n型硒化铟膜层上的p型硒化亚锡纳米晶，以及设置在所述基底上且与所述n型硒化铟膜层两端分别连接的第一电极和第二电极。本发明通过在不改变硒化铟膜层的微观结构前提下，在其表面修饰p型硒化亚锡纳米晶构成局域的异质结，在光照下，异质结可使所述n型硒化铟膜层与p型硒化亚锡纳米晶的界面处产生大量的电子与空穴，而光生电子空穴会在硒化亚锡纳米晶与硒化铟膜层构成的异质结处迅速分离
一种利用硒化亚锡纳米进行表面修饰硒化铟光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种硒化葡甘聚糖的制备方法-CN200410012785.0无效
发明人：彭祚全;吴承亚 -专利权人：彭祚全;吴承亚
申请日： 2004-02-26 - 公布日： 2005-01-05 - 主分类号： C08B37/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硒化葡甘聚糖的制备方法。本发明就是将硒与葡甘聚糖在一定的条件下相结合，达到生产出含有硒的硒化葡甘聚糖的目的。本发明一种硒化葡甘聚糖的方法是将硒使用氧化剂氧化成Se⁶⁺离子水溶液；取Se⁶⁺离子的水溶液加入乙醇和盐酸，使溶液中的乙醇含量在5％－10％，盐酸含量在1％左右；在硒化反应液中加入葡甘聚糖进行硒化反应；加入乙醇，使经过硒化后的硒化葡甘聚糖沉淀出来；沉淀硒化葡甘聚糖分离脱水，再经过烘干即可。
一种硒化葡甘聚糖制备方法

[发明专利]一种基于硒化亚锡/硒化铟异质结的光电探测器及其制备方法-CN202010709445.2在审
发明人：李煜;晏雨发;张晗;李峰 -专利权人：深圳大学
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于硒化亚锡/硒化铟异质结的光电探测器及其制备方法，其中，所述基于硒化亚锡/硒化铟异质结的光电探测器包括设置在衬底上的p型硒化亚锡薄膜和n型硒化铟薄膜，所述p型硒化亚锡薄膜和n型硒化铟薄膜之间设置有部分重叠区域，所述部分重叠区域通过范德华相互作用形成光电异质结，所述p型硒化亚锡薄膜和n型硒化铟薄膜不重叠的两端分别固定有一金属电极。本发明通过构建pn异质结，使p型硒化亚锡薄膜与n型硒化铟薄膜在光照条件下产生的电子与空穴在异质结处迅速分离，能够有效降低暗电流，明显提高所制备的光电探测器的光增益、光响应速度及光响应度。
一种基于硒化亚锡硒化铟异质结光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种利用石墨烯抑制铂表面的硒化反应以及控制单层二硒化铂生长的方法-CN202111286740.2在审
发明人：刘中流;朱知力;武旭;王业亮;高鸿钧 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用石墨烯抑制铂表面的硒化反应以及控制单层二硒化铂生长的方法；在直接硒化法生长二硒化铂的过程中，通过向在真空中被加热至合适温度的铂(111)晶面上沉积硒原子，可以在铂的表面上外延生长单层的二硒化铂；本发明利用铂(111)表面石墨烯的限域效应对硒化反应的抑制作用，通过在硒化前的铂表面上外延生长石墨烯，可以实现对上述硒化反应的抑制；通过控制石墨烯的覆盖区域可以实现对特定区域的硒化反应产生抑制，从而控制单层二硒化铂的形貌；这种对单层二硒化铂生长的控制方法为实现该种二维材料的图案化提供了新的途径，在低维材料、纳米电子学、传感和催化等相关研究与应用方面具有广泛的潜力。
一种利用石墨抑制表面反应以及控制单层二硒化铂生长方法

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